Bảng điều khiển năng lượng mặt trời đơn tinh thể 555-575W

Sự tái hợp của các electron và lỗ trống trên bề mặt và bất kỳ giao diện nào là yếu tố chính hạn chế hiệu suất của tế bào và
nhiều công nghệ thụ động khác nhau đã được phát triển để giảm sự tái hợp, từ BSF (Trường bề mặt sau) giai đoạn đầu đến PERC (Bộ phát thụ động và tế bào phía sau) phổ biến hiện nay), HJT (Heterojunction) mới nhất và các công nghệ TOPCon ngày nay. TOPCon là một công nghệ thụ động tiên tiến, tương thích với cả tấm silicon loại P và loại N và có thể nâng cao đáng kể hiệu quả của tế bào bằng cách phát triển một lớp oxit siêu mỏng và lớp polysilicon pha tạp ở mặt sau của tế bào để tạo ra thụ động bề mặt. Khi kết hợp với tấm silicon loại N, giới hạn hiệu suất trên của tế bào TOPCon được ước tính là 28,7%, vượt trội so với PERC, khoảng 24,5%. Quá trình xử lý của TOPCon tương thích hơn với các dây chuyền sản xuất PERC hiện có, do đó cân bằng chi phí sản xuất tốt hơn và hiệu suất mô-đun cao hơn. TOPCon dự kiến ​​sẽ là công nghệ di động chủ đạo trong những năm tới.